和英特尔争夺新标准 惠普将为企业客户推出全新存储级内存

2015年10月10日  |  来源:互联网|打印】【关闭

中研普华报道
导读:



  惠普着手开发全新类别的存储与内存技术已有多年,这项称之为“忆阻器”(Memristor)的新技术,有望以某种形式的堆栈式内存来取代DRAM和NAND。尽管其算不上秘密、也算不上受欢迎,但惠普依然选择了与SanDisk携手打造一些基于忆阻器的存储设备,并将之推向数据中心和其它企业。惠普的目标很简单,那就是为商业客户开发高端产品。

  未来几年,惠普忆阻器与三星/英特尔之间还有一场硬仗要打。

  惠普的忆阻器技术将与英特尔的3DXPoint和三星的3DNAND展开直接竞争,其旨在打破传统内存(RAM)与存储之间的隔阂,速度可达NAND闪存存储的1000倍,但是没有传统的RAM那么快。

  好的一面是,与断电就丢数据的RAM不同,忆阻器和3DXPoint更类似,因为它在断电的情况下仍然可以保持数据,这这点与传统的闪存也很像。通过结合双方的优点,可以更好地实现性能和成本(能源/环保)方面的均衡。

  惠普与SanDisk倾向于把新式忆阻器数据存储内存叫做“存储级内存”(StorageClassMemory),毕竟它是专为数据中心而打造的。但是在3DXPoint面前,它能否赢得客户的心,目前还是个未知数。

  尽管惠普揭晓忆阻器的时间更早,但其进步的速度还是赶不上英特尔,且“事实标准”向来都更容易落到更强势的那一家。

  早在今年的开发者论坛(IDF2015)上,英特尔就已经展示过首款3DXPointSSD。该设备拥有6GB/s的带宽,并且兼容DDR4和PCIe3.0x4插槽。

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