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2023存储芯片制造商业绩与市场状况

  • 2023年7月27日 HuangJiang来源:新浪
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SK海力士表示,公司亏损进一步扩大,主要是因为全球经济放缓令第一季度存储芯片供过于求的局面恶化,导致价格下跌。

2023全球存储芯片市场状况与供需局面

由于存储芯片市场持续低迷,韩国芯片制造巨头、苹果供应商SK海力士(SK Hynix Inc.)周三公布了创纪录的季度运营亏损。不过该公司表示,各大存储芯片制造商减产后,将从今年下半年开始改善市场状况。

这家全球第二大存储芯片制造商公布,今年一季度营业亏损3.4万亿韩元(合25.4亿美元),上年同期盈利2.9万亿韩元。这一结果符合分析师的预期。

这是SK集团自2012年收购海力士以来的最大亏损,也是继去年第四季度亏损1.9万亿韩元后,连续两个季度出现亏损。

财报显示,该公司一季度营收同比下降58%,至5.1万亿韩元。

SK海力士表示,公司亏损进一步扩大,主要是因为全球经济放缓令第一季度存储芯片供过于求的局面恶化,导致价格下跌。

尽管SK海力士录得创纪录亏损,但由于公司表示未来存储芯片市场将反弹,该公司股价周三早盘录得上涨,目前上涨约3%。

存储芯片的价格周期

从DRAM的价格周期看,自2012 年至今DRAM已经经历了三轮周期。

*轮周期:2012年Q3至2016年Q2。其中2012年Q3至2014年Q2为周期上行,主要驱动力为智能手机爆发,对 DRAM 的需求增长;2014年Q3至2016年Q2周期下行,主要是因为各厂商扩产落地导致供大于求。

第二轮周期:2016年Q3至2019年Q4。其中2016年Q3至2018年Q2周期上行,主要驱动力为主要的存储芯片厂商转移产能至3D NAND Flash,DRAM 无扩产计划;2018年Q3至2019年Q4周期下行,主要原因是中国和美国贸易摩擦导致全球下游需求萎靡,服务器、PC、笔记本电脑等需求不佳,DRAM供过于求。

第三轮周期:2020年Q1至今。其中2020年Q1至2021年Q2为周期上行,主要驱动力为疫情下,线上经济、居家办公等需求拉动服务器、TV、PC 出货激增, 5G 手机升级驱动单机容量升级,带动 DRAM 价格回升。2021年Q3至今为周期下行,原因是随着智能手机等消费电子需求步入低迷,存储厂商持续去库存。

NAND Flash与DRAM的价格周期波动情况相似,自2012年至今也经历了三轮周期。

根据中研普华研究院《2023-2028年国内存储设备行业发展趋势及发展策略研究报告》显示:

从2021年下半年至今,DRAM和NAND Flash两大内存芯片价格已经下跌长达20个月。各存储芯片厂商正在集中减产、应对库存问题、节约资本开支,并推迟先进技术的进展,以应对存储器需求的疲软。

为了应对 3DNAND 和 DRAM 内存需求放缓的问题,美光宣布将DRAM和NAND晶圆产量减少约20%,除此之外,美光还宣布将在2023年削减30%的资本开支。

SK 海力士也宣布削减2023年的资本支出50%以上,并对收益较低的存储产品进行减产。随后在今年年初,有台媒报道SK海力士已调降供国内设施使用的晶圆产量10%。

铠侠也做出了减产动作,调整日本四日市和北上NAND Flash晶圆厂的生产,晶圆生产量将减少约30%。

西部数据宣布NAND闪存产量减少30%。

就在近日,三星一改之前坚决不减产的态度,宣布对存储芯片进行减产。三星电子表示,将把内存芯片产量削减至“合理水平”,主要以PC内存“DDR4”等通用产品为中心推进。

随着各家存储器大厂纷纷大幅减产,存储芯片供给端过剩现象将进一步改善。近期,从海外三大存储巨头的预测来看,市场情况正在出现微妙变化。

据美光透露,存储芯片库存已至高点,后续有望迎来行业拐点。虽然目前存储价格仍在下行,但厂商库存压力已达到峰值,后续有望逐步下降至安全水位。

SK海力士日前在股东大会上也透露,预计存储芯片需求将在今年下半年复苏,但不确定性依旧存在,公司今年资本开支将减半,不会进一步减产。

铠侠也认为随着今年中国经济全面重启,客户库存水平逐季降低,市场需求将于今年下半年复苏。

在近日召开的CFMS 2023峰会上,中国存储龙头长江存储的首席运营官程卫华在演讲中也提到,得益于智能手机、服务器和个人电脑制造商的需求订单,全球NAND闪存市场的供需将在今年下半年达到平衡。

国产存储芯片扩展到了8Gb

国产芯片又传来好消息,近日,存储芯片企业江波龙表示,其自主研发了SLC闪存芯片,容量从512Mb扩展到了8Gb。

目前,存储芯片中DRAM与闪存合计占比达到了95%,其中DRAM占比为52%,闪存芯片中,NAND占40%,NOR3%。

NOR闪存与NAND闪存有很大的区别,NOR型闪存更像内存,有独立的地址线和数据线,但价格比较贵,容量比较小,主要用来存储代码及少量数据,比较适合频繁随机读写的场合,通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行,NOR闪存通常用于瘦客户机、机顶盒、打印机和驱动器控制器。

而NAND型更像硬盘,地址线和数据线是共用的I/O线,类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般,成本要低一些,而容量大得多,主要用来存储资料。

那么今天我们要说的就是NAND闪存。

NAND闪存芯片又通常分为SLC、MLC、TLC以及QLC四种,他们之间有一定区别,各有优缺点。

其中的SLC=Single-Level Cell,其优点是速度快、寿命长,约10万次擦写寿命,缺点是价格贵,成本约是MLC的3倍以上。

MLC=Multi-Level Cell,速度和寿命一般,约3000-10000次擦写寿命,价格也一般。

TLC=Trinary-Level Cell,速度慢、寿命短,约1500-3000次擦写寿命,价格便宜。

QLC=Quad-Level Cell,速度慢、寿命短,约500-1000次擦写寿命,但成本最低。

在机械硬盘中磁道是存储的构建块,而在固态硬盘中,相同的功能则由单元提供,单元本质上是一个门电路。每个单元可以存储多少取决于固态硬盘使用的单元类型,也就是SLC单层单元、MLC两层单元、TLC三层单元和QLC四层单元。换句话说,SLC每个单元只能存储一位,MLC能存储两个,TLC存储三个,QLC存储四个。表面上是一种越大越好的情况,但实际并非如此。

例如,虽然使用QLC可以增加容量,但对于相同的存储量,它需要的单元数是SLC的1/4。二将多个位写入单个单元需要更多时间,这样就会影响固态硬盘的耐用性,这意味着SLC实际上是最快同时也最可靠的,但也要贵多。

具体到实际产品种,U盘一般采用TLC芯片。

固态硬盘中,主流的都采用MLC颗粒,价格适中,速度与寿命相对较好。但价格较低的固态硬盘,普遍采用TLC芯片颗粒,速度和寿命都一般。

《2023-2028年国内存储设备行业发展趋势及发展策略研究报告》由中研普华研究院撰写,本报告对该行业的供需状况、发展现状、行业发展变化等进行了分析,重点分析了行业的发展现状、如何面对行业的发展挑战、行业的发展建议、行业竞争力,以及行业的投资分析和趋势预测等等。报告还综合了行业的整体发展动态,对行业在产品方面提供了参考建议和具体解决办法。

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